雷射應用分享 | 2026.08.24
核心雷射雕刻技術選型（冷加工與超快脈衝）
SiMPore 矽晶圓超精細雷射雕刻標記應用方案
SiMPore 矽晶圓超精細雷射雕刻標記應用方案
500μm 極薄易碎晶圓內部雷射雕刻標記工藝 ｜ 極低熱影響區 (HAZ) 解決方案
針對高密度微晶片防護、零熱應力微裂紋與 SEMI M12/M13 追溯標準之專屬雷射應用規劃。
應用挑戰背景： SiMPore 生產的 500 微米（μm）矽晶圓結構極為薄易碎。在建立內部標記工藝時，核心關鍵為如何在不損傷晶圓本體與周邊密集微晶片的前提下，於極狹窄的切割線（Scribe Line）進行高精度雷射標記，達成永久追溯性。
核心雷射技術選型（冷加工與超快脈衝）
355nm 光化學冷加工
紫外雷射雕刻標刻（UV Laser）
透過高光子能量打斷矽分子鍵，熱影響區（HAZ）幾乎為零。聚焦光斑小於 10μm，可在微晶片間隙（Scribe Line）進行超精細邊緣標記。
超快脈衝非熱消融
皮秒 / 飛秒雷射（Picosecond）
脈衝寬度極短（<10⁻¹²s），能量在熱傳導發生前即完成氣化消融，徹底消除熱應力積聚，防範 500μm 薄晶圓產生微裂紋（Micro-cracks）。
內部製程建立與加工優勢
零結構損傷： 控制氣化深度僅數十奈米，確保 500μm 晶圓的結構完整性與機械抗折強度完全不受影響。
高密度邊緣防禦： 具備微米級防護距離，可在距離活性微晶片（Active Die）極近的區域打刻，最大化晶圓表面利用率。
無塵室等級與高耐受性： 標記（DataMatrix 二維碼、OCR）能耐受強酸清洗、蝕刻及退火工藝；加工無微粒飛濺，符合 Class 10/100 無塵室規範。
自動化設備整合模組
IMP 閉環視覺自動定位（±1μm 精度） 平頂光束整形（Top-hat Beam） SEMI M12/M13 二維碼生成 MES / ERP 智慧生產履歷連線